在国际电子论坛上,惠普实验室资深研究员Stan Williams表示,该公司计划在一年半时间内向市场推出闪存芯片(Flash)的替代芯片,以及固态硬盘(SSD)的替代存储器。他说,可能到2014年,或者到2015年,惠普将有DRAM的竞争产品,接下的一步是去替代SRAM。他声称,新芯片的每比特交换能量比Flash改进了两个数量级。
本文来自: 惠普将在2013年推出忆阻器芯片 - 索引标签:企业, 科技
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