IBM突破多位封装 相变存储将成现实

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IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果,攻克了相变存储(PCM)的一大难题:多位封装。相变存储技术已经开发了很多年,但是一直被局限在每单元一比特数据上,也就是1 bit-per-cell(1bpc),这样自然难以大幅提升容量、降低成本。

IBM最近终于完成了一颗多位PCM试验芯片,采用90nm CMOS工艺制造,不但读写速度高于普通NAND闪存,写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下,目前最先进的25nm MLC NAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉(事实上34nm工艺的还要稍好些)。

另外,IBM这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10微秒左右,比当前最先进的闪存快100倍

不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位,而且要看到这种新技术的量产,至少还得等四五年。

Editor: CySnap; Tags: ,

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